武汉普赛斯仪表有限公司

IGBT击穿电压测试高压电源具有输出及测量电压高（3500V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在第一象限，输出及测量电压0~3500V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。详询一八一四零六六三四七六；

应用领域：

用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。

 

IGBT击穿电压测试高压电源特点和优势：

十ms级的上升沿和下降沿；

单台z大3500V的输出；

0.1%测试精度；

同步电流或电压测量；

支持程控恒压测流，恒流测压，便于扫描测试；

更多有关IGBT击穿电压测试高压电源详情找普赛斯仪表专员为您解答一八一四零六六三四七六，普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对普赛斯功率半导体器件静态参数测试方案和国产化高精度源表感兴趣，欢迎随时联系我们！