50~500us的脉冲宽度连续可调;
15us的超快上升沿;
同步测量电压;
单台z大可达1000A输出;
可极性反转;
0.1%测试精度;
应用领域 肖特基二极管 整流桥堆 IGBT器件 IGBT半桥模块 IPM模块 更多有关大电流脉冲电源详情找普赛斯仪表专员为您解答一八一四零六六三四七六,普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对普赛斯功率半导体器件静态参数测试方案和国产化高精度源表感兴趣,欢迎随时联系我们!
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