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E系列GaN HEMT击穿特性测试高压电源特点和优势：
十ms级的上升沿和下降沿；
单台z大3500V的输出；
0.1%测试精度；
同步电流或电压测量；
支持程控恒压测流，恒流测压，便于扫描测试；
部分技术指标
z大输出功率：350W，3500V/100mA（不同型号有差异）；
输出电压建立时间典型值：< 5ms；
输出接口：E100:三同轴BNC；E200、E300:KHV（三同轴）；
扫描：支持线性、对数及用户自定义扫描；
通信接口：RS232、以太网；
保护：支持急停；
触发：支持trig IN及trig out；
尺寸：19英寸2U机箱；
应用领域：
用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。
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