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普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对普赛斯功率半导体器件静态参数测试方案和国产化高精度源表感兴趣，欢迎随时联系我们！功率器件功能高压测试模块认准普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六；
E系列功率器件功能高压测试模块特点和优势：
十ms级的上升沿和下降沿；
单台z大3500V的输出；
0.1%测试精度；
同步电流或电压测量；
支持程控恒压测流，恒流测压，便于扫描测试；
部分技术参数
z大输出功率：350W，3500V/100mA（不同型号有差异）；
输出电压建立时间典型值：< 5ms；
输出接口：E100:三同轴BNC；E200、E300:KHV（三同轴）；
扫描：支持线性、对数及用户自定义扫描；
通信接口：RS232、以太网；
保护：支持急停；
触发：支持trig IN及trig out；
尺寸：19英寸2U机箱；
应用领域：
用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。
