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系统方案
普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。
进行 C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信号进行测量。一般使用的交流信号频率在10KHz 到1MHz之间。所加载的直流偏压用作直流电压扫描，扫描过程中测试待测器件待测器件的交流电压和电流，从而计算出不同电压下的电容值。功率mos管CV测试仪CV测试机认准普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六；
系统优势
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频率范围宽：频率范围10Hz~1MHz连续频率点可调；
高精度、大动态范围：提供0V~3500V偏压范围，精度0.1%；
内置CV测试：内置自动化CV测试软件，包含C-V（电容-电压），C-T（电容-时间），C-F（电容-频率）等多项测试测试功能;
兼容IV测试：同时支持击穿特性以及漏电流特性测试；
实时曲线绘制：软件界面直观展示项目测试数据及曲线，便于监控；
扩展性强：系统采用模块化设计，可根据需求灵活搭配；
基本参数
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LCR |
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测试频率 |
10Hz-1MHz |
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频率输出精确度 |
±0.01% |
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基本准确度 |
±0.05% |
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AC测试信号准位 |
10mV至2Vrms (1m Vrms 解析度) |
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DC测试信号准位 |
10mV至2V (1m Vrms 解析度) |
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输出阻抗 |
100Ω |
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量测范围 |
|Z|, R, X |
0.001mΩ–99.999MΩ |
|Y|, G, B |
0.1nS–99.999S |
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Cs、Cp |
0.01pF – 9.9999F |
Ls Lp |
0.1nH–9.999kH |
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D |
0.00001-9.9999 |
Q |
0.1-9999.9 |
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DCR |
0.001mΩ–9.999MΩ |
Δ% |
-9999%-999% |
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θ |
-180° -+180° |
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SMU |
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VGS范围 |
0 - ±30V(选配) |
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IGSS/IGES |
≥10pA(选配) |
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VDS范围 |
0 - ±300V |
0 - ±1200V |
0 - ±2200V |
0 - ±3500V |
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IDSS/ICES |
≥10pA |
≥1nA |
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源测精度 |
0.03% |
0.1% |
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功能 |
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测试方式 |
点测、图形扫描 |
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测试参数 |
DIODE:CJ、IR、VR MOSFET:Ciss、Coss、Crss、Rg、IDSS、IGSS、BVDSS IGBT:Cies、Coes、Cres、ICES、IGES、VBRCES |
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接口 |
RS232、LAN |
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编程协议 |
SCPI、LabView |
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典型配置
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源表 |
VGS/VGE |
选配，S100/P100 |
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VDS/VCE |
标配S300，可选P300/E100/E200/E300 |
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LCR表 |
标配10Hz~1MHz频率，可选5MHz/10MHz |
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矩阵开关 |
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上位机软件 |
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其他 |
三同轴电缆、LAN线 |
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普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对普赛斯功率半导体器件静态参数测试方案和国产化高精度源表感兴趣，欢迎随时联系我们！详询一八一四零六六三四七六；