点击图片查看原图
根据霍尔系数及其与温度的关系可以计算载流子的浓度，以及载流子浓度同温度的关系，由此可以确定材料的禁带宽度和杂质电离能；通过霍尔系数和电阻率的联合测量能够确定载流子的迁移率，用微分霍尔效应法可测纵向载流子浓度分布；测量低温霍尔效应可以确定杂质补偿度。与其他测试不同的是霍尔参数测试中测试点多、 连接繁琐，计算量大，需外加温度和磁场环境等特点，在此前提下，手动测试是不可能完成的。
普赛斯仪表开发的霍尔效应测试系统可以实现几千到至几万点的多参数自动切换测量，系统由S系列国产源表，2700矩阵开关和S型测试软件等组成。可在不同的磁场、温度和电流下根据测试结果计算出电阻率、霍尔系数、载流子浓度和霍尔迁移率，并绘制曲线图。在半导体制程的晶圆基片和离子注入等阶段，或者封装好的霍尔器件需要做霍尔效应的测试。数字源表测半导体材料的霍尔效应认准普赛斯仪表咨询，详询18140663476
需要测试的参数：
电阻率
霍尔系数
载流子浓度
霍尔迁移率特性曲线
范德堡法
需要的仪器列表：
国产S型源表
开关
变温器
可变磁场
软件
聚焦第三代半导体领域高端测试设备的国产化，武汉普赛斯仪表坚持自主创新研发，积极打造对标进口、国内令先的实验与测试平台。掌握多项电性能测试核心专利技术，构建了高精度台式数字源表、脉冲式源表、窄脉冲电流源、脉冲恒压源、集成插卡式源表、高精度的超大电流源、高压电源、数据采集卡等系列产品，电流覆盖pA至kA，电压覆盖μV至kV。基于自主核心仪表产品，我司创新打造了半导体参数分析仪、功率器件静态参数测试系统、大功率激光器老化测试系统、miniLED测试系统、电流传感器测试系统等测试平台，以高效率、高精度、低成本为核心，实现市场应用的集成创新。
公司已建成覆盖全国的营销服务网络，并积极布局海外市场。凭借长期的技术创新、精益的生产制造、严格的质量体系及国际化视野，成为为数不多进入国际半导体测试市场供应链体系的半导体电性能测试设备厂商。产品被国内外知名高校、科研院所及半导体企业广泛应用，并与多家半导体测试机厂家建立长期稳定的合作关系。未来，公司将始终以“提供供应链可控的高性能、低成本的有特色的测试仪器仪表和测试系统”为价值导向，坚持创新驱动，持续赋能全球半导体产业智能化测试升级。