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功率器件静态测试系统简介
普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、 BJT、IGBT，以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级导通电阻精确测量、nA级漏电流测量能力等特点。支持高压模式下功率器件结电容测试，如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统，主要包括测试主机、测试夹具、工控机、上位机软件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机，内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件，可根据测试项目需要，设置不同的电压、电流等参数，以满足不同测试需求。测试数据可保存与导出，并可生成I-V以及C-V特性曲线。此外，测试主机可与探针台搭配使用，实现晶圆级芯片测试；也可与热流仪、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。
系统特点
高电压：支持高达3.5KV高电压测试（蕞大扩展至12kV）；
大电流：支持高达6KA大电流测试（多模块并联）；
高精度：支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试；
模块化设计：内部采用模块化配置，可添加或升级测量单元；
测试效率高：可自动切换、一键测试；
温度范围广：支持常温、高温测试；
兼容多种封装：根据测试需求可定制夹具；
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项目 |
参数 |
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集电极-发射极 |
蕞大电压 |
3500V(可拓展至12KV) |
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z大电流 |
1000A(可拓展至6000A) |
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准确度 |
±0.1% |
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大电压上升沿 |
典型值5ms |
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大电流上升沿 |
典型值15μs |
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大电流脉宽 |
50μs~500μs |
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漏电流测试量程 |
1nA~100mA |
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栅极-发射极 |
蕞大电压 |
300V |
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蕞大电流 |
1A(直流)/10A(脉冲) |
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准确度 |
±0.05% |
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z小电压分辨率 |
30μV |
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z小电流分辨率 |
10pA |
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电容测试 |
典型精度 |
±0.5% |
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频率范围 |
10Hz~1MHz |
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电容值范围 |
0.01pF~9.9999F |
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温控 |
范围 |
25℃~200℃ |
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准确度 |
±2℃ |
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测试项目
二极管：反向击穿电压VR、反向漏电流IR、正向电压VF、 正向电流IF、电容值Cd、I-V曲线、C-V曲线
三极管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、 增益hFE，输入特性曲线、输出特性曲线、C-V特性曲线
Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/、VGE(th)、IGSS/IGES栅极内阻Rg、输入电容Ciss/Cies、输出电容、Coss/Coes、反向传输电容Crss/Cres、跨导gfs、输出特性曲线、 转移特性曲线、C-V特性曲线
光耦(四端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、输入电容CT、输出电容CCE、 电流传输比CTR、隔离电容CIO
测试夹具