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单管igbt测试设备参数分析仪
SPA-6100单管igbt测试设备参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快
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2024-06-27 |
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半导体器件功率分析仪功率器件测试设备
普赛斯功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性
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2024-06-24 |
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ic芯片电性能测试数字源表
芯片测试作为芯片设计、生产、封装、测试流程中的重要步骤，是使用特定仪器，通过对待测器件DUT(DeviceUnderTest)的检测，区别缺
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2024-06-21 |
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高电流脉冲电源脉宽50μs-500μs连续可调
高电流脉冲电源脉宽50μs-500μs连续可调特点50μs-500μs的脉冲宽度连续可调15μs超快上升沿（典型时间）两路同步测量电压0.3mV
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2024-06-19 |
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mos分立器件测试方案iv+cv电性能分析
MOSFET(金属—氧化物半导体场效应晶体管)是一种利用电场效应来控制其电流大小的常见半导体 器 件，可 以 广 泛 应 用 在 模 拟
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2024-06-12 |
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二极管CV测试系统CV测试机
概述 电容-电压(C-V)测量广泛用于半导体参数测试方面，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。MOS(金属-氧化物-半导体)结构的电容是外加电压
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2024-06-07 |
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数字源表测试电阻式传感器IV电性能方案
利用普赛斯数字源表SMU灵活进行电阻测量实时测试多种材料在同-环境条件下的电阻值的反应灵敏;在低电压下进行下高范围跨度(Q、KQ
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2024-06-04 |
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数字源表搭建MOS电容CV特性测试实验平台
本科生微电子器件及材料实验目的通过实验动手操作，加深对半导体物理理论知识的理解，掌握半导体材料和不同器件性能的表征方法及
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2024-05-30 |
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